modulo/FF200R17KE4HOSA1 SP000713374 di alto potere IGBT di 200A 1700V

FF200R17KE4HOSA1 SP000713374   Infineon    Alto potere del modulo 200A 1700V del modulo IGBT di IGBT

FF200R17KE4

Produttore: Infineon
Tipo di prodotto: Moduli di IGBT
Configurazione: Doppio
tensione massima VCEO dell'Collettore-emettitore: 1,7 chilovolt
tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore: 1,95 V
Corrente di collettore continua a 25 C: 310 A
corrente di perdita dell'Portone-emettitore: Na 100
dissipazione forza palladio: W 1250
Pacchetto/scatola: 62 millimetri
Temperatura di lavoro minima: - 40 C
Temperatura di lavoro massima: + 150 C
Pacchetto: Vassoio
Tensione massima emettitore/del portone: 20 V
Montaggio dello stile: Supporto del telaio
Serie: Trenchstop IGBT4 - E4
Quantità d'imballaggio: 10 PCS
Sottocategoria: IGBTs
Tecnologia: Si