Media potenza doppia FF200R17KE4HOSA1 SP000713374 del modulo di potere di 62MM IGBT

FF200R17KE4HOSA1   SP000713374    Infineon     MEDIA POTENZA 62MM DEL MODULO DI IGBT

FF200R17KE4

Produttore: Infineon
Tipo di prodotto: Moduli di IGBT
Configurazione: Doppio
tensione massima VCEO dell'Collettore-emettitore: 1,7 chilovolt
tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore: 2,3 V
Corrente di collettore continua a 25 C: 310 A
corrente di perdita dell'Portone-emettitore: Na 100
dissipazione forza palladio: W 1250
Pacchetto/scatola: Modulo
Temperatura di lavoro minima: - 40 C
Temperatura di lavoro massima: + 150 C
Pacchetto: Vassoio
Tensione massima emettitore/del portone: 20 V
Montaggio dello stile: Supporto del telaio
Serie: FFXR17K4H
Quantità d'imballaggio: 10 PCS
Sottocategoria: IGBTs
Tecnologia: Fermata campo/della fossa