STGWA20H65DFB2 ST Transistor 20 A serie HB2 ad alta velocità IGBT TO-247
Produttore: STMicroelectronics
Categoria di prodotto: Transistor IGBT
Tecnologia: Si
Pacchetto/caso: TO-247-3
Stile di montaggio: attraverso il buco
Configurazione: singolo
Tensione massima VCEO del collettore-emettitore: 650 V
Voltaggio di saturazione collettore-emettitore: 1,65 V
Tensione massima della porta/emettitore: - 20 V, 20 V
Corrente continua del collettore a 25 C: 40 A
Dissipazione Pd-potenza: 147 W
Temperatura minima di funzionamento: - 55 C
Temperatura massima di funzionamento: + 175 C
Imballaggio: tubo
Marchio: STMicroelectronics
Corrente di perdita del portatore: 250 nA
Tipo di prodotto: transistor IGBT
Confezione Quantità: 600 PCS
Sottocategoria: IGBT
Peso unitario: 6,100 g
