STGB30H65DFB2 ST Transistor 30 A serie HB2 ad alta velocità IGBT D2PAK-3
Produttore: STMicroelectronics
Categoria di prodotto: Transistor IGBT
Tecnologia: Si
Tipo di montaggio: SMD/SMT
Configurazione: singolo
Tensione massima VCEO del collettore-emettitore: 650 V
Voltaggio di saturazione collettore-emettitore: 1,65 V
Tensione massima della porta/emettitore: - 20 V, 20 V
Corrente continua del collettore a 25 C: 50 A
Dissipazione di potenza Pd: 167 W
Temperatura minima di funzionamento: - 55 C
Temperatura massima di funzionamento: + 175 C
Confezione: bobina
Confezione: nastro a taglio
Confezione: MouseReel
Marchio: STMicroelectronics
Tipo di prodotto: transistor IGBT
Pacco Quantità: 1000 PCS
Sottocategoria: IGBT
Peso unitario: 1,380 g
