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EM6K1T2R ROHM MOSFET 2N-CH 30V .1A N-Channel  SOT-563-6

EM6K1T2R ROHM MOSFET 2N-CH 30V.1A N-Channel SOT-563-6

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    EM6K1T2R

    ,

    SOT-563-6 Circuito integrato Ic

  • ROHM
    EM6K1T2R
  • Pacco
    SOT-563-6
  • Numero di canali
    2 Manica
  • Vds - tensione di ripartizione di Scolo-fonte
    30 V
  • Id - corrente di scarico continua
    100 mA
  • dissipazione forza palladio
    150 Mw
  • Temperatura di lavoro minima
    -55℃
  • Temperatura di funzionamento
    +150℃
  • Quantità d'imballaggio
    8000 pc
  • Luogo di origine
    Il Giappone
  • Marca
    ROHM
  • Numero di modello
    EM6K1T2R
  • Quantità di ordine minimo
    1pc
  • Prezzo
    Negotiated Price
  • Imballaggi particolari
    Bobina
  • Tempi di consegna
    24-72hours
  • Termini di pagamento
    T/T, L/C
  • Capacità di alimentazione
    800000 PCS + 48 ore

EM6K1T2R ROHM MOSFET 2N-CH 30V.1A N-Channel SOT-563-6

 

EM6K1T2R ROHM MOSFET 2N-CH 30V.1A SOT-563-6

 

 

Produttore: ROHM Semiconductor
Categoria di prodotto: MOSFET
Tecnologia: Si
Tipo di installazione: SMD/SMT
Confezione / scatola: SOT-563-6
Polarità del transistor: canale N
Numero di canali: 2
tensione di rottura della fonte di scarico Vds: 30 V
Id corrente di scarico continua: 100 mA
Rds Resistenza della sorgente di scarico: 7 Ohm
Vgs - tensione della porta: - 20 V, + 20 V
Vgs tensione di soglia della sorgente-porta: 1,5 V
Carica Qg-gate: -
Temperatura minima di funzionamento: - 55 C
Temperatura massima di funzionamento: +150 C
Dissipazione di potenza Pd: 150 mW
Modalità canale: potenziamento
Serie: EM6K1
Confezione: bobina
Configurazione: doppia
Tempo di caduta: 35 ns
Altezza: 0,5 mm
Lunghezza: 1,6 mm
Tempo di risalita: 35 ns
Quantità di imballaggio: 8000 PCS
Tipo di transistor: 2 canali N
Tempo di ritardo tipico di spegnimento: 80 ns
Tempo di ritardo tipico: 15 ns
Larghezza: 1,2 mm
Alias numero della parte: EM6K1
Peso unitario 3 mg

 

 

EM6K1T2R ROHM MOSFET 2N-CH 30V.1A N-Channel SOT-563-6 0

EM6K1T2R ROHM MOSFET 2N-CH 30V.1A N-Channel SOT-563-6 1